2018-320509-39-03-536990 英诺赛科 8 英寸硅基氮化镓芯片生产线建设项目（第一阶段）竣工、调试日期公示
2021-09-02
根据《国务院关于修改〈建设项目竣工环境保护管理条例〉的决定》(国务院令第682号)，以及环保部《关于发布（建设项目竣工环境保护验收暂行办法）的公告》(国环规环评[2017]4号)，现将2018-320509-39-03-536990 英诺赛科 8 英寸硅基氮化镓芯片生产线建设项目（第一阶段）竣工、调试情况公示如下：
项目名称：2018-320509-39-03-536990 英诺赛科 8 英寸硅基氮化镓芯片生产线建设项目（第一阶段）
建设单位：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
建设地址：吴江区黎里镇来秀路东侧
建设内容：年产8 英寸硅基氮化镓外延片和芯片6万片/a
竣工时间：2021.7.10
调试日期：2021.7.11~2021.9.1
联系人：李晨光
电话：15995523370
公示期间，对上述公示内容如有异议，请以书面形式反馈，个人须署真实姓名，单位须加盖公章
竣工调试公示.pdf
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