18112714560
2018-320509-39-03-536990 英诺赛科 8 英寸硅基氮化镓芯片生产线建设项目(第一阶段)竣工环境保护验收监测报告全本公示
2021-12-03

 根据《国务院关于修改〈建设项目竣工环境保护管理条例〉的决定》(国务院令第682号),以及环保部《关于发布<建设项目竣工环境保护验收暂行办法>的公告》(国环规环评[2017]4号),现将2018-320509-39-03-536990 英诺赛科 8 英寸硅基氮化镓芯片生产线建设项目(第一阶段)竣工环境保护自主验收内容(包括验收监测报告表、验收意见及签到表)公示如下:

项目名称:2018-320509-39-03-536990 英诺赛科 8 英寸硅基氮化镓芯片生产线建设项目(第一阶段)
建设单位:英诺赛科(苏州)半导体有限公司
建设地址:吴江区黎里镇来秀路东侧
建设内容:年产8 英寸硅基氮化镓外延片和芯片6万片/a
公示时间:自公示之日起20个工作日
联系人:李晨光
电话:15995523370
公示期间,对上述公示内容如有异议,请以书面形式反馈,个人须署真实姓名,单位须加盖公章
验收监测报告表.pdf
文件类型: .pdf

717cca279566c02f43ed0af23ff4aceb.pdf (1.24 MB)

签到表、专家意见.pdf
文件类型: .pdf abe94acc5b3a12cc68f3b8cdb2511168.pdf (206.75 KB)
CopyRight@2015-2018 版权所有 苏州环境热线